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SIE816DF-T1-E3 |
10-PolarPAK?（L） | Vishay Siliconix | 鐢佃瘽锛�0755-83217923 询价QQ：  |
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SIE816DF-T1-E3参数 产品类别：分立半导体产品-FET - 单 说明：MOSFET N-CH D-S 60V POLARPAK 包装数量：3000 包装形式：带卷 (TR) PDF资料下载：  PDF文档FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压 (Vdss)：60V 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：60A 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：7.4 毫欧 @ 19.8A，10V 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4.4V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：77nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：3100pF @ 30V 功率 - 最大值：125W 安装类型：表面贴装 |
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热门型号： 振荡器FXO-HC730R-7.3728 跳线，预压接线H3BBG-10112-A4-ND 板对板 - 阵列，FX6-20P-0.8SV(71) 磁性 - 位置，近MK13-1A66B-500W Card EdgeEMM10DKLN 按钮开关A165L-JYM-5D-2 RF 晶体管 (BBFP740FE6327 圆形KPSE0E16-26PDZ 圆形KPSE06F18-32PY 晶体管(BJT) MCH6542-TL-E |
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